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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  JANTX1N821-1溫度補(bǔ)償Zener二極管Microsemi 2024-11-25 10:39:48

  Microsemi的1N821至1N829A系列是一組高精度的6.2及6.55伏溫度補(bǔ)償齊納參考二極管，具備出色的溫度穩(wěn)定性（0.005%/°C）和多種電壓選項(xiàng)（6.2V和6.55V），適用于廣泛的溫度范圍（-65°C至+175°C）。這些二極管提供±2%和±5%的電壓公差，以及靈活的封裝選項(xiàng)，包括DO-35和DO-204AH，使其成為電源、信號處理和測試設(shè)備等應(yīng)用的理想選擇。