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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續(xù)漏極電流達3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態(tài)特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關(guān)延遲15-45ns，適用于高頻開關(guān)場景。該器件特別適合電源管理、電機驅(qū)動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統(tǒng)，兼具高效能和快速響應特性。

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  CXOLHT高溫晶體振蕩器16kHz-50MHz STATEK 2024-09-13 08:59:11

  STATEK CXOLHT振蕩器16kHz-50MHz是一款專為高溫應用設(shè)計的高性能石英晶體振蕩器，特點包括快速啟動（4.0 ms）、高沖擊抗擾度（100,000 g）、高溫穩(wěn)定性（高達200°C）、超低功耗（32.768 kHz時小于20 μA）、低老化、采用3.2 x 1.5 mm密封陶瓷封裝。主要應用于高溫、工業(yè)及航空電子設(shè)備、井下儀器、地下鉆探工具、地熱及測井鉆孔工具（MWD）等領(lǐng)域。