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  C4H2350N10 - 10W GaN封裝功率晶體管Ampleon 2024-11-29 08:54:42

  C4H2350N10是一款專為基站應用設計的10瓦特GaN功率晶體管，適用于2.3-2.7 GHz頻段的移動寬帶應用。其特點包括出色的數字預失真能力、高效率、寬帶操作、低輸出電容，并符合RoHS環保標準。該產品主要用于基站射頻功率放大器和多載波應用，頻率范圍為2300 MHz至5000 MHz，具備10W的標稱輸出功率、18.9dB的功率增益和15.5%的漏效率。

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  BF998E6327HTSA1硅N溝道MOSFET射頻放大器Infineon英飛凌 2024-07-01 09:26:24

  BF998E6327HTSA1是英飛凌硅N溝道MOSFET射頻放大器，專為射頻環境設計，適用于放大和切換電子信號。其最大功耗200 mW、工作溫度范圍-55 °C至150 °C、最大頻率1000 MHz,應用領域包括機頂盒、電視和車載收音機。電氣參數包括門輸入電容2.1 pF、輸出電容1.1 pF、正向跨導24 mS、功率增益20 dB @ 800 MHz、最大連續漏電流30 mA、最大漏源電壓12 V、噪聲系數1.80 dB @ 800 MHz、總功耗200 mW。封裝類型為SOT143。