Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發布時間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:853
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應用。
主要參數
漏源電壓(VDS):1200V
連續漏極電流(ID):25°C時為17A
導通電阻(RDS(on)):25°C時為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復時間(trr):34ns
反向恢復電荷(Qrr):197nC
應用領域
開關電源
DC-DC轉換器
PFC電路
電機驅動
機器人控制
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推薦資訊
Solitron SMF473 是一款400V N溝道功率MOSFET,專為高功率應用設計,具有低R DS(on)(400V時40mΩ,10V時22mΩ)、高耐壓(400V)、高輸入和輸出電容(C iss 2900pF,C oss 3900pF)以及低反向恢復電荷(Q rr 22nC)。其連續漏極電流ID為23A,脈沖漏極電流IDM為92A,最大功率耗散P為250W,線性降額因子2W/°C,工作溫度范圍-55°C至150°C。
Rogers?的RO3000高頻電路板材是種PTFE復合材質與特殊的陶瓷填料,適用于商業微波和射頻應用。RO3000系列高頻電路板材的先進性層壓板提供了超一流電氣和機械穩定性。
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