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Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET

發布時間:2025-05-29 09:00:32     瀏覽:853

  Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC  N溝道功率MOSFET

  主要參數

  漏源電壓(VDS):1200V

  連續漏極電流(ID):25°C時為17A

  導通電阻(RDS(on)):25°C時為160mΩ

  柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V

  最大功耗(PD):97W

  工作溫度(TJ):-55°C~+175°C

  體二極管特性

  正向電壓(VSD):4.25V

  反向恢復時間(trr):34ns

  反向恢復電荷(Qrr):197nC

  應用領域

  開關電源

  DC-DC轉換器

  PFC電路

  電機驅動

  機器人控制

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