- 產(chǎn)品詳情
650V CoolMOS? CFD7 SJ功率MOSFET集成了快速體二極管，是諧振高功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的理想選擇
英飛凌的650V CoolMOS? CFD7 超結(jié) MOSFET采用 TO-65 封裝的 IPP090R7CFD220 非常適合工業(yè)應(yīng)用中的諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，例如服務(wù)器,電信,太陽的和電動(dòng)汽車充電站，與競爭對手相比，它可以顯著提高效率。作為CFD2 SJ MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管系列，它具有更低的柵極電荷、改進(jìn)的關(guān)斷行為和更低的反向恢復(fù)電荷，可實(shí)現(xiàn)最高的效率和功率密度以及額外的 50V 擊穿電壓。
訂購信息：
| Type / Ordering Code | Package | Marking | Related Links |
| IPP65R090CFD7 | PG-T0220-3 | 65R090F7 | see Appendix A |
功能概要
超快體二極管和極低的 Q 值RR型
650V擊穿電壓
與競爭產(chǎn)品相比，開關(guān)損耗顯著降低
最低 RDS(開)與溫度的關(guān)系
好處
出色的硬換向堅(jiān)固性
為總線電壓增加的設(shè)計(jì)提供額外的安全裕度
提高功率密度
在工業(yè)SMPS應(yīng)用中具有出色的輕載效率
提高工業(yè)SMPS應(yīng)用中的滿載效率
與市場上的替代產(chǎn)品相比，價(jià)格競爭力
潛在應(yīng)用
電動(dòng)汽車快速充電
服務(wù)器電源
太陽能系統(tǒng)解決方案
電信基礎(chǔ)設(shè)施
Parametrics
| Parametrics | IPP65R090CFD7 |
|---|---|
| ID (@25°C) max | 25 A |
| ID max | 25 A |
| IDpuls max | 107 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 127 W |
| Package | TO-220 |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 53 nC |
| QG | 53 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 90 m? |
| RDS (on) max | 90 m? |
| VDS max | 650 V |
| VGS(th) min max | 4 V 3.5 V 4.5 V |
