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IKW40N120T2 IGBT芯片

發布于:2024-01-29 14:09:32

品牌名稱:Infineon英飛凌

重要參數:

功耗:480W

工作溫度:-40°C~175°C

頻率:2 kHz~20 kHz

封裝:PG-TO247-3

  • 產品詳情

1200 V, 40 A IGBT,采用反并聯二極管,TO-247 封裝

1200 V、40 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT4,采用續流二極管在 TO247 中封裝,由于結合了溝槽單元和場終止概念,顯著提高了靜態和動態性能。IGBT 和軟恢復發射極控制二極管的結合進一步降低了開通損耗。由于開關和傳導損耗間可實現折衷,因此可實現高效率。


特征描述

更低的傳導損耗實現較低的 VCEsat 壓降

低開關損耗

由于 VCEsat 中的正溫度系數,因此易于進行平行開關

非常軟且快速恢復的反平行發射極控制二極管

具有高魯棒性、溫度穩定的行為

低電磁干擾輻射

低柵極電荷

非常嚴格的參數分配


優勢

高效率 - 得益于低導通和低開關損耗

600 V 和 1200 V 的全面產品組合可實現設計的高靈活性

器件可靠性高


參數:


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