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IMBG120R030M1H CoolSiC? MOSFET

發布于:2024-02-26 09:35:35

品牌名稱:Infineon英飛凌

重要參數:

Ciss:2290 pF

ID (@25°C) max:56 A

Package:TO-263-7

Pin Count:7 Pins

VDS max:1200 V


  • 產品詳情

英飛凌IMBG120R030M1HXTMA1,采用TO-263-7封裝的1200 V, 30 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET。

功能摘要:

極低的開關損耗

短路耐受時間,3 μs

完全可控的 dV/dt

基準柵極閾值電壓,VGS(th) = 4.5 V

可施加對寄生導通、0 V 關斷柵極電壓的魯棒性

堅固耐用的體二極管,用于硬換向

.XT 互連技術可實現一流的熱性能

1200 V 優化的 SMD 封裝,具有爬電距離和電氣間隙,PCB 上> 6.1 mm

用于優化開關性能的檢測引腳

好處:

效率提升

實現更高的頻率

提高功率密度

減少冷卻工作量

降低系統復雜性和成本

SMD 封裝可直接集成到 PCB 中,具有自然對流冷卻功能,無需額外的散熱器

應用:

驅動器

基礎設施 - 充電器

能源生產 – 太陽能組串逆變器和太陽能優化器

工業電源 – 工業UPS

ParametricsIMBG120R030M1H
Ciss2290 pF
Coss105 pF
I(@25°C)   max56 A
MountingSMD
Operating Temperature   min  max-55 °C   175 °C
Ptot (@ TA=25°C)   max300 W
PackageTO-263-7
Pin Count7 Pins
PolarityN
QG63 nC
Qgd15 nC
QualificationIndustrial
RDS (on) (@ Tj = 25°C)30 m?
RthJA   max62 K/W
RthJC   max0.5 K/W
Tj   max175 °C
VDS   max1200 V


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