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JANTX1N5770低電容二極管陣列

發布于:2024-11-19 13:45:25

品牌名稱:Microsemi

重要參數:

電壓:60V

電流:0.3A

封裝:10引腳陶瓷扁平封裝

重量:約0.25克

  • 產品詳情

1N5770是一款低電容二極管陣列,具有公共陽極,由多個獨立的隔離結組成,通過平面工藝制造,并封裝在10引腳的陶瓷扁平封裝中。這些二極管用于保護多達八個I/O端口免受ESD(靜電放電)、EFT(電快速瞬變)或浪涌的影響,通過將它們導向地線。該產品還與1N5768型號配合使用,后者具有公共陰極。此外,可以在正電源線和地之間添加外部TVS二極管,以防止電源軌上的過電壓。它們也可用于快速開關核心驅動器應用,包括計算機和外圍設備,如磁芯、薄膜存儲器、鍍線存儲器等,以及解碼或編碼應用。這些陣列提供了集成電路的許多優勢,如高密度封裝和提高的可靠性,這是由于減少了拾放操作、更小的占用空間、更輕的重量,以及消除了可能在PCB安裝中不太方便的各種離散封裝。

特性與應用:

采用密封陶瓷封裝。

隔離二極管消除串擾電壓。

高擊穿電壓VBR > 60V(10μA)。

低漏電流IR < 100nA(40V)。

低電容C < 8.0pF。

提供符合MIL-PRF19500/474標準的JAN、JANTX、JANTXV和JANS篩選選項,通過在零件號前分別添加MQ、MX、MV或MSP前綴來指定。例如,MX1N5770表示JANTX篩選。

適用于高頻數據線、RS-232 & RS-422接口網絡、以太網10 Base T、計算機I/O端口、局域網、開關核心驅動器等。

最大額定值(機械和包裝):

反向擊穿電壓VBR:最小60V。

連續前向電流IO:300mA。

前向浪涌電流IFSM:500mA(tp=1/120s)。

每個結在25°C時的功率耗散:400mW。

每個封裝在25°C時的功率耗散:500mW。

工作結溫范圍:-65至+150°C。

存儲溫度范圍:-65至+200°C。

重量:約0.25克。

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