TPSM82902降壓模塊(集成電感器)TI 德州儀器
發(fā)布時(shí)間:2023-09-20 16:47:52 瀏覽:509
TI德州儀器TPSM82902是款高效率、精巧、靈活性且易用同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器MicroSiP封裝模塊。2.5MHz或1.0MHz可選擇的開關(guān)頻率兼容運(yùn)用中小型器件,并提供迅速瞬態(tài)響應(yīng)。TPSM82902使用DCS-Control拓?fù)浼嫒荨?/span>1%高VOUT精密度。3V至17V的寬輸入電壓范圍支持多種標(biāo)準(zhǔn)輸入,例如12V電源軌、單節(jié)或多節(jié)鋰電池、5V或3.3V電源軌。
TPSM82902能夠在輕負(fù)載時(shí)自動(dòng)化進(jìn)入省電模式(如果選擇自動(dòng)化PFM/PWM)以維持高效率。此外,能夠在極小的負(fù)載下具備高效率,TPSM82902具備4μA的低典型靜態(tài)電流。AEE(如果啟動(dòng))能夠在VIN、VOUT和負(fù)載電流范圍之內(nèi)具備高效率。TPSM82902包含一個(gè)MODE/Smart-CONF輸入,用作設(shè)定內(nèi)部/外部整流電路、開關(guān)頻率、輸出電壓釋放電能和自動(dòng)節(jié)電模式或強(qiáng)制性PWM使用。
TPSM82902選用中小型11管腳MicroSiP封裝,寬度為3.0mm×2.8mm×1.6mm,具有集成化1μH電感器。
特征
?在寬pwm占空比和負(fù)載范圍之內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)高效率
–IQ:4μA(標(biāo)稱值)
–62mΩ高側(cè)和22mΩ低側(cè)RDS(ON)
?3mm×2.8mm×1.6mmMicroSiP?封裝
?高至2A的連續(xù)輸出電流
?整體環(huán)境溫度(-40°C至125°C)內(nèi)的反饋電壓精度達(dá)±0.9%
?可編程的輸出電壓選擇:
–VFB外部分壓器:0.6V至5.5V
–VSET內(nèi)部分壓器:16個(gè)電壓選擇(0.4V至5.5V)
?帶100%方式的DCS-Control拓?fù)?/span>
?根據(jù)MODE/S-CONF管腳實(shí)現(xiàn)操作靈活性
–2.5MHz或1.0MHz開關(guān)頻率
–具備動(dòng)態(tài)模式調(diào)整選項(xiàng)的強(qiáng)制性PWM或自動(dòng)(PFM)低電量模式
–自動(dòng)化效率加強(qiáng)(AEE)
–輸出放電開/關(guān)
?高寬比靈活性且容易應(yīng)用領(lǐng)域
–對(duì)于單層布線的管腳排列進(jìn)行優(yōu)化
–高精密賦能輸入
–電源穩(wěn)定狀態(tài)輸出
–可調(diào)式軟啟動(dòng)和跟蹤
?不需要外部自舉電容器
?應(yīng)用領(lǐng)域TPSM82902并通過WEBENCH?Power Designer創(chuàng)建產(chǎn)品定制方案
應(yīng)用領(lǐng)域
?數(shù)據(jù)平臺(tái)和企業(yè)級(jí)計(jì)算
?有線網(wǎng)絡(luò)
?無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
?智能化工廠與控制
?測(cè)試和測(cè)量
TI 德州儀器為美國知名集成電路設(shè)計(jì)與制造商,TI 德州儀器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于商用、軍工以及航空航天領(lǐng)域。
幾十年來,德州儀器一直熱衷于通過半導(dǎo)體技術(shù)降低電子產(chǎn)品的成本,讓世界變得更美好。TI 是第一個(gè)完成從真空管到晶體管再到集成電路(IC)的轉(zhuǎn)變,在過去的幾十年里,TI 促進(jìn)了IC技術(shù)的發(fā)展,提高了大規(guī)模、可靠地生產(chǎn)IC的能力。每一代創(chuàng)新都是在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,使技術(shù)更小、更高效、更可靠、更實(shí)惠——從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,專注于TI 德州儀器品牌高端可出口產(chǎn)品系列新品產(chǎn)品,并備有現(xiàn)貨庫存,可當(dāng)天發(fā)貨。
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3N190/3N191系列是雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于非隔離POL電源和低壓驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。它們具有高開關(guān)頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容,適合高速負(fù)載切換和模擬信號(hào)放大。與BJT相比,這些MOSFET在處理大電流時(shí)產(chǎn)生的熱量更少,有助于提高能效。它們適用于交換應(yīng)用、放大電路、斬波電路等多種場(chǎng)合,并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。
Linear Integrated Systems的SD210DE/214和SST210/214系列N-Channel Lateral DMOS Switch,專為音頻、視頻和高頻高速應(yīng)用設(shè)計(jì),提供極速切換(1納秒)、低電容(0.2皮法)和低電阻特性,適用于模擬開關(guān)、采樣保持、圖像處理和DAC去抖動(dòng)等多種應(yīng)用。具備20V至30V的擊穿電壓和寬工作溫度范圍(-55°C至125°C),確保在高頻環(huán)境下穩(wěn)定可靠的性能。
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